Как известно, параметры полупроводникового p-n перехода в биполярных транзисторах и диодах имеют температурную зависимость. Если прямосмещенный переход соединить с генератором постоянного тока, то его выходное напряжение будет находиться в прямо пропорциональной зависимости от температуры. Калибровка таких датчиков проводится только по двум точкам.
Полупроводниковые датчики Maxim/Dallas имеют встроенную схему преобразования сигнала в цифровую форму. Благодаря тому, что чувствительный элемент и схема преобразования сигнала находятся на одном кристалле, погрешность измеряемой температуры подобных датчиков достаточно мала и составляет от 0,5 до 2°С. Кроме того, при считывании дополнительных регистров и их арифметической обработке, можно достичь высокого разрешения с ценой младшего разряда 0.0625°C.
Многое датчики с цифровым выходным сигналом могут быть использованы в качестве термостатов с пользовательской регулировкой контрольных точек с гистерезисом. Встроенная энергонезависимая EEPROM память сохраняет максимальные и минимальные пределы, заданные пользователем, превышение которых приводит к включению логических выходов микросхемы. Третий логический выход будет оставаться открытым до снижения температуры до низкого уровня (программируемый гистерезис). Термодатчики выдают информацию о параметрах температуры в виде 9-, 10-, 11-, или 12-битного кода.
Некоторые микросхемы датчиков температуры имеют несколько адресных выводов, благодаря чему к шине может быть подключено до 16 различных устройств. Обмен данными (чтение/запись) может производиться по различным интерфейсам: однопроводному 1-Wire, двухпроводному 2-Wire, SPI, трехпроводному и др.
Основные области применения:
